徠卡真空鍍膜儀主要指一類需要在較高真空度下進行的鍍膜，具體包括很多種類，包括真空離子蒸發，磁控濺射，MBE分子束外延，PLD激光濺射沉積等很多種。主要思路是分成蒸發和濺射兩種。需要鍍膜的被成為基片，鍍的材料被成為靶材?；c靶材同在真空腔中。
 

　　蒸發鍍膜一般是加熱靶材使表面組分以原子團或離子形式被蒸發出來，并且沉降在基片表面，通過成膜過程(散點一島狀結構-迷走結構-層狀生長)形成薄膜。對于濺射類鍍膜，可以簡單理解為利用電子或高能激光轟擊靶材，并使表面組分以原子團或離子形式被濺射出來，并且沉積在基片表面，經歷成膜過程，形成薄膜。
 

　　徠卡真空鍍膜儀的概念：
 

　　1.厚度上的均勻性，也可以理解為粗糙度，在光學薄膜的尺度上看(也就是1/10波長作為單位，約為100A)，真空鍍膜的均勻性已經相當好，可以輕松將粗糙度控制在可見光波長的1/10范圍內，也就是說對于薄膜的光學特性來說，真空鍍膜沒有任何障礙。但是如果是指原子層尺度上的均勻度，也就是說要實現10A甚至1A的表面平整，是現在真空鍍膜中主要的技術含量與技術瓶頸所在，具體控制因素下面會根據不同鍍膜給出詳細解釋。
 

　　2.化學組分上的均勻性：就是說在薄膜中，化合物的原子組分會由于尺度過小而很容易的產生不均勻特性，SiTi03薄膜，如果鍍膜過程不科學，那么實際表面的組分并不是SiTi03，而可能是其他的比例，鍍的膜并非是想要的膜的化學成分。
 

　　3.晶格有序度的均勻性：這決定了薄膜是單晶，多晶，非晶，是真空鍍膜技術中的熱點問題。主要分類有兩個大種類：蒸發沉積鍍膜和濺射沉積鍍膜，具體則包括很多種類，包括真空離子蒸發，磁控濺射，MBE分子束外延，溶膠凝膠法等等